Kryštály GaSe
Pomocou kryštálu GaSe bola výstupná vlnová dĺžka naladená v rozsahu od 58,2 µm do 3540 µm (od 172 cm-1 do 2,82 cm-1) so špičkovým výkonom dosahujúcim 209 W. Výrazne sa zlepšil výstupný výkon tohto THz zdroj od 209W do 389W.
Kryštály ZnGeP2
Na druhej strane, na základe DFG v kryštáli ZnGeP2 bola výstupná vlnová dĺžka vyladená v rozsahu 83,1–1642 µm a 80,2–1416 µm pre dve konfigurácie fázového prispôsobenia. Výstupný výkon dosiahol 134 W.
GaP kryštály
Pomocou kryštálu GaP bola výstupná vlnová dĺžka naladená v rozsahu 71,1–2830 µm, pričom najvyšší špičkový výkon bol 15,6 W. Výhoda použitia GaP oproti GaSe a ZnGeP2 je zrejmá: rotácia kryštálu už nie je potrebná na dosiahnutie ladenia vlnovej dĺžky. Namiesto toho stačí naladiť vlnovú dĺžku jedného zmiešavacieho lúča v rámci šírky pásma tak úzkeho ako 15,3 nm.
Na zhrnutie
Účinnosť konverzie 0,1 % je tiež najvyššia, aká sa kedy dosiahla pre stolný systém využívajúci komerčne dostupný laserový systém ako zdroje pumpy. Jediným zdrojom THz, ktorý by mohol konkurovať zdroju GaSe THz, je laser s voľnými elektrónmi, ktorý je extrémne objemný. a spotrebuje veľkú elektrickú energiu.Navyše, výstupné vlnové dĺžky týchto THz zdrojov môžu byť ladené v extrémne širokých rozsahoch, na rozdiel od kvantových kaskádových laserov, z ktorých každý môže generovať len pevnú vlnovú dĺžku. Preto by určité aplikácie, ktoré je možné realizovať pomocou široko laditeľných monochromatických THz zdrojov, neboli možné, ak sa namiesto toho spoliehame na subpikosekundové pulzy THz alebo kvantové kaskádové lasery.
