GaP
Kryštál fosfidu gália (GaP) je infračervený optický materiál s dobrou povrchovou tvrdosťou, vysokou tepelnou vodivosťou a širokopásmovým prenosom.Vďaka svojim vynikajúcim komplexným optickým, mechanickým a tepelným vlastnostiam môžu byť kryštály GaP použité vo vojenskej a inej komerčnej high-tech oblasti.
| Základné vlastnosti | |
| Kryštálová štruktúra | Zinková zmes |
| Skupina symetrie | Td2-F43m |
| Počet atómov v 1 cm3 | 4,94·1022 |
| Augerov rekombinačný koeficient | 10-30cm6/s |
| Debyeho teplota | 445 tis |
| Hustota | 4,14 g cm-3 |
| Dielektrická konštanta (statická) | 11.1 |
| Dielektrická konštanta (vysoká frekvencia) | 9.11 |
| Efektívna hmotnosť elektrónovml | 1.12mo |
| Efektívna hmotnosť elektrónovmt | 0,22mo |
| Efektívne hmoty otvorovmh | 0.79mo |
| Efektívne hmoty otvorovmlp | 0,14mo |
| Elektrónová afinita | 3,8 eV |
| Mriežková konštanta | 5,4505 A |
| Optická fonónová energia | 0,051 |
| Technické parametre | |
| Hrúbka každého komponentu | 0,002 a 3 +/-10 % mm |
| Orientácia | 110 — 110 |
| Kvalita povrchu | scr-dig 40-20 — 40-20 |
| Plochosť | vlny pri 633 nm – 1 |
| Paralelnosť | oblúk min < 3 |
